Добавить переносимый драйвер parallel NAND

c/parallel-nand/docs/EMPTY_BOARD_PINOUT.md

@@ -0,0 +1,81 @@
+# Подключение parallel NAND на пустой плате
+
+Документ рассчитан на асинхронную NAND x8 `MT29F1G08ABADA` 3,3 В в корпусе
+TSOP-48 (суффикс `WP`). На второй фотографии NAND — длинная микросхема справа
+с маркировкой `29F1G08ABADA`. Микросхема Micron `D9MDK` сверху — DDR2 SDRAM,
+не NAND. На первой фотографии `AM29LV800BT` — parallel NOR, а не NAND.
+
+Уточнение по ёмкости с фотографий:
+
+- `K6R4008V1D` — SRAM 4 Mbit (512 KiB), не Flash;
+- `AM29LV800BT` — parallel NOR 8 Mbit (1 MiB);
+- `MT29F1G08ABADA` — parallel NAND 1 Gbit, то есть 128 MiB main area.
+
+Поэтому текущий NAND-профиль рассчитан на 1-Gbit чип со второй платы. Для
+другой плотности меняется `parallel_nand_geometry_t`; GAS и GUI-команды
+остаются теми же.
+
+Не переносите номера выводов TSOP-48 на вариант `H4` VFBGA-63. Для BGA нужно
+использовать ball map конкретного полного part number.
+
+## TSOP-48, x8
+
+| NAND | Вывод | Назначение |
+|---|---:|---|
+| `R/B#` | 7 | open-drain Ready/Busy, подтяжка 4,7–10 кОм к 3,3 В |
+| `RE#` | 8 | строб чтения от МК |
+| `CE#` | 9 | выбор кристалла от МК |
+| `VCC` | 12, 37 | питание 3,3 В |
+| `VSS` | 13, 36 | земля |
+| `CLE` | 16 | фиксация команды |
+| `ALE` | 17 | фиксация адреса |
+| `WE#` | 18 | строб команды/адреса от МК |
+| `WP#` | 19 | для read-only 10 кОм на GND; для записи — GPIO и pull-down |
+| `I/O0` | 29 | двунаправленная шина, бит 0 |
+| `I/O1` | 30 | двунаправленная шина, бит 1 |
+| `I/O2` | 31 | двунаправленная шина, бит 2 |
+| `I/O3` | 32 | двунаправленная шина, бит 3 |
+| `I/O4` | 41 | двунаправленная шина, бит 4 |
+| `I/O5` | 42 | двунаправленная шина, бит 5 |
+| `I/O6` | 43 | двунаправленная шина, бит 6 |
+| `I/O7` | 44 | двунаправленная шина, бит 7 |
+| `VCC1` | 34, 39 | соединить с 3,3 В для совместимости корпуса/ONFI |
+| `VSS1` | 25, 48 | соединить с GND для совместимости корпуса/ONFI |
+| `DNU` | 38, 47 | оставить неподключёнными |
+| `NC` | остальные | не подключать |
+
+У каждого VCC/VCC1 поставить 100 нФ на ближайший VSS/VSS1; рядом с NAND —
+общий 1–4,7 мкФ. Сигналы не должны превышать питание NAND. Для трасс длиннее
+нескольких сантиметров предусмотреть последовательные резисторы 22–47 Ом у
+источника на `WE#`, `RE#`, `CLE`, `ALE` и при необходимости на данных.
+
+## Соединение с МК
+
+| NAND | TMS320F2812 | STM32F407VET6 | STM32G474CEU6 |
+|---|---|---|---|
+| `I/O0..7` | `XD0..XD7` | `PD14,PD15,PD0,PD1,PE7..PE10` | `PB0..PB7` |
+| `CLE` | `XA0` | `PD11/FSMC_A16` | `PA0` |
+| `ALE` | `XA1` | `PD12/FSMC_A17` | `PA1` |
+| `WE#` | `XWE` | `PD5/FSMC_NWE` | `PA2` |
+| `RE#` | `XRD` | `PD4/FSMC_NOE` | `PA3` |
+| `CE#` | `XZCS6AND7` | `PD7/FSMC_NE2` | `PA4` |
+| `WP#` | GND через 10 кОм | GND через 10 кОм | `PA5` и pull-down 10 кОм |
+| `R/B#` | `GPIOE0` | `PD6/FSMC_NWAIT` | `PA6` |
+
+Подробные номера выводов корпуса МК и ограничения находятся в README каждого
+каталога `ports/`. Перед изготовлением платы нужно сверить выбранный корпус и
+полный part number NAND с актуальным datasheet.
+
+## Первый запуск
+
+1. Не устанавливать NAND и проверить 3,3 В, отсутствие КЗ и уровни `CE#/WE#/RE#`.
+2. Установить NAND, оставить `WP#` в нуле и выполнить RESET `FFh`.
+3. Прочитать ID `90h`: ожидаемые первые байты для профиля — `2C F1`.
+4. Считать одну страницу два раза и сравнить main/OOB побайтно.
+5. Только после устойчивого чтения запускать полный дамп через GAS.
+
+## Источники для проверки footprint
+
+- [Micron: каталог SLC NAND](https://www.micron.com/products/storage/nand-flash/slc-nand/part-catalog)
+- [MT29F1G08ABADA: signal assignments и геометрия](https://helpdesk.trx.pl/pliki/SERWER/Micron-MT29F1G08ABADAWP-IT%20D-datasheet.pdf)
+- [Micron FBGA part decoder](https://in.micron.com/sales-support/design-tools/fbga-parts-decoder)